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NVH4L040N120M3S中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NVH4L040N120M3S
廠商型號

NVH4L040N120M3S

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L

文件大小

359.64 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-9 8:14:00

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NVH4L040N120M3S規(guī)格書詳情

特性 Features

? Typ. RDS(on) = 40 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 75 nC)

? High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 80 pF)

? 100 Avalanche Tested

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? Automotive On Board Charger

? Automotive DC?DC Converter for EV/HEV

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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