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NVBG020N090SC1_V01中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NVBG020N090SC1_V01
廠商型號

NVBG020N090SC1_V01

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 900 V, M2, D2PAK-7L

文件大小

327.54 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-9-6 23:01:00

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NVBG020N090SC1_V01規(guī)格書詳情

特性 Features

? Typ. RDS(on) = 20 m @ VGS = 15 V

? Typ. RDS(on) = 16 m @ VGS = 18 V

? Ultra Low Gate Charge (typ. QG(tot) = 200 nC)

? Low Effective Output Capacitance (typ. Coss = 295 pF)

? 100 Avalanche Tested

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? Automotive On Board Charger

? Automotive DC-DC Converter for EV/HEV

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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