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NVBG015N065SC1_V01中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NVBG015N065SC1_V01
廠商型號(hào)

NVBG015N065SC1_V01

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 12 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L

文件大小

331.48 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-9-7 23:01:00

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NVBG015N065SC1_V01規(guī)格書詳情

特性 Features

? Typ. RDS(on) = 12 m @ VGS = 18 V

Typ. RDS(on) = 15 m @ VGS = 15 V

? Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 283 nC)

? Low Effective Output Capacitance (Coss = 424 pF)

? 100 Avalanche Tested

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable

? This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb?Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

? Automotive On Board Charger

? Automotive DC-DC Converter for EV/HEV

? Automotive Traction Inverter

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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