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首頁(yè)>NTLUD3A260PZTBG>芯片詳情

NTLUD3A260PZTBG_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M科恒偉業(yè)商城

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  • 廠家型號(hào)：

    NTLUD3A260PZTBG

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ON

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    7850

  • 產(chǎn)品封裝：

    UDFN6

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-31 17:37:00

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原廠料號(hào)：NTLUD3A260PZTBG品牌：ON

只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨假一賠十!

  • 芯片型號(hào)：

    NTLUD3A260PZTBG

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    112.67 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Power MOSFET ??0 V, ??.1 A,Cool Dual P??hannel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    NTLUD3A260PZTBG

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    王先生/馮小姐

  • 手機(jī)：

    15817279218

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83200050/82569753

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路101號(hào)華勻1棟5樓B14

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