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首頁(yè)>NTHD3102CT1>芯片詳情

NTHD3102CT1_ONSEMI/安森美半導(dǎo)體_MOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary鎂城芯片電子

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

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  • 廠家型號(hào)：

    NTHD3102CT1

  • 產(chǎn)品分類(lèi)：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ONSEMI/安森美

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    40327

  • 產(chǎn)品封裝：

    1206-8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+23+

  • 庫(kù)存類(lèi)型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-7-17 10:01:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：NTHD3102CT1品牌：ONSEMI/安森美

原裝專(zhuān)業(yè)ADI/TI/ON/MAXIM/NXP/ST/EXAR/MICRO

  • 芯片型號(hào)：

    NTHD3102CT1G

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱(chēng)：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    11 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    101.5 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Power MOSFET Complementary, 20 V, 5.5 A /??.2 A, ChipFET

產(chǎn)品屬性

  • 類(lèi)型

    描述

  • 型號(hào)：

    NTHD3102CT1

  • 功能描述：

    MOSFET 20V 5.5A/-4.2A Complementary

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市鎂域芯片電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    林總

  • 手機(jī)：

    15817346446

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話：

    15817346446

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道崗廈社區(qū)福華三路88號(hào)財(cái)富大廈39H-P62

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