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NTD20N06中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTD20N06
廠商型號

NTD20N06
功能描述

Power MOSFET
文件大小

80.12 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商

ONSEMI
中文名稱

安森美半導體
網(wǎng)址

網(wǎng)址
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更新時間

2025-8-20 15:38:00
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NTD20N06規(guī)格書詳情

Power MOSFET 20 Amps, 60 Volts, N?Channel DPAK

Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge circuits.

特性 Features

? Pb?Free Packages are Available

? Lower RDS(on)

? Lower VDS(on)

? Lower Capacitances

? Lower Total Gate Charge

? Lower and Tighter VSD

? Lower Diode Reverse Recovery Time

? Lower Reverse Recovery Stored Charge

Typical Applications

? Power Supplies

? Converters

? Power Motor Controls

? Bridge Circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    NTD20N06

  • 功能描述：

    MOSFET 60V 20A N-Channel

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

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