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NTD20N03L27T4G中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NTD20N03L27T4G
廠商型號

NTD20N03L27T4G

功能描述

Power MOSFET

文件大小

60.26 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-20 10:46:00

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NTD20N03L27T4G規(guī)格書詳情

MOSFET –Power, N-Channel, DPAK 20 A, 30 V

This logic level vertical power MOSFET is a general purpose part that provides the “best of design” available today in a low cost power package. Avalanche energy issues make this part an ideal design in. The drain?to?source diode has a ideal fast but soft recovery.

特性 Features

? Ultra?Low RDS(on), Single Base, Advanced Technology

? SPICE Parameters Available

? Diode is Characterized for use in Bridge Circuits

? IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperatures

? High Avalanche Energy Specified

? ESD JEDAC rated HBM Class 1, MM Class A, CDM Class 0

? NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

? Power Supplies

? Inductive Loads

? PWM Motor Controls

? Replaces MTD20N03L in many Applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    NTD20N03L27T4G

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 20A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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