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NP100N04NUJ.S18-AY	文件：223.75 Kbytes Page：8 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP100N04NUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features ? Super low on-state resistance ? RDS(on) = 3.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A) ? Low Ciss: Ciss = 5600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) ? High current rating: ID 文件：223.75 Kbytes 頁數(shù)：8 Pages	RENESAS 瑞薩	RENESAS
NP100P06PDG	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEC TO-252	NEC 瑞薩上傳：深圳市勝彬電子有限公司	NEC
NP1216DR	文件：0 bytes Page：0 Pages	南麟 DFN2*2-6	南麟上傳：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
NP2300MR-Y-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	NATLINEAR/南麟 SOT23-3	NATLINEAR/南麟上傳：深圳廣友電子有限公司	NATLINEAR/南麟
NP2301AMR	文件：0 bytes Page：0 Pages	南麟 SOT-23-3	南麟上傳：深圳市勇康微科技有限公司	南麟

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更多NP100N04NUJ.S18-AY供應(yīng)商更新時間2025-9-9 10:11:00

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