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NP100N04NUJ.S18-AY中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

NP100N04NUJ.S18-AY
廠商型號(hào)

NP100N04NUJ.S18-AY

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

223.75 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

RENESAS

中文名稱(chēng)

瑞薩

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-9-8 23:00:00

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NP100N04NUJ.S18-AY規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

The NP100N04NUJ is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

特性 Features

? Super low on-state resistance

? RDS(on) = 3.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 50 A)

? Low Ciss: Ciss = 5600 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V)

? High current rating: ID(DC) = ±100 A

? Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    NP100N04NUJ.S18-AY

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱(chēng):

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
RENESAS(瑞薩)/IDT
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