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NGTB25N120IHLWG

Incorporated into the device is a rugged co??ackaged free wheeling diode with a low forward voltage.

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB25N120IHLWG

Package：TO-247-3；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 1200V 50A TO247

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB25N120LWG

IGBT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NGTB25N120SWG

IGBT-InverterWelding

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

RLPGB25N120CT

IGBT

Features ?1200V,25A ?VCE(sat)(typ.)=2.2V@VGE=15V,IC=25A ?Highspeedswitching ?Highersystemefficiency ?Softcurrentturn-offwaveforms ?SquareRBSOAusingNPTtechnology GeneralDescription NPTIGBTsofferlowerlossesandhigherenergy efficiencyforapplicationsuchasIH(induc

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

RLTPGB25N120CT

N-CHANNELIGBT

APPLICATIONS ?Generalpurposeinverters ?UPS FEATURES ?Lowgatecharge ?TrenchFSTechnology, ?Saturationvoltage:VCE(sat),typ=1.9VIC=25AandTC=25°C

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

SGH25N120

ShortCircuitRatedIGBT

GeneralDescription FairchildsRUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswhe

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SGH25N120RUF

ShortCircuitRatedIGBT

GeneralDescription FairchildsRUFseriesofInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglossesaswellasshortcircuitruggedness.TheRUFseriesisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpowersupplies(UPS)andgeneralinverterswhe

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SGL25N120RUF

ShortCircuitRatedIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

SGL25N120RUFD

ShortCircuitRatedIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    NGTB25N120IHLWG

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，25A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    800μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    -/235ns

  • 測(cè)試條件：

    600V，25A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A TO247

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ONSemiconductor
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更多NGTB25N120IHLWG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 14:17:00

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