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NGTB25N120SWG分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NGTB25N120SWG |
| 參數(shù)屬性 | NGTB25N120SWG 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 25A 1200V TO-247 |
| 功能描述 | IGBT - Inverter Welding |
| 封裝外殼 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
90.5 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-14 10:44:00 |
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NGTB25N120SWG屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的NGTB25N120SWG晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NGTB25N120SWG
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝道
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.4V @ 15V，25A
- 開關(guān)能量：
1.95mJ（開），600μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
87ns/179ns
- 測(cè)試條件：
600V，25A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
- 描述：
IGBT 25A 1200V TO-247
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
23+ |
TO-247 |
89630 |
當(dāng)天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
24+ |
TO-247 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-247 |
14100 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
22+ |
TO2473 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) | ||
ON Semiconductor |
2010+ |
N/A |
23 |
加我qq或微信，了解更多詳細(xì)信息,體驗(yàn)一站式購物 |
詢價(jià) | ||
ONSEMI/安森美 |
2410+ |
80000 |
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯. |
詢價(jià) | |||
ON(安森美) |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
60000 |
一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) |
