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NE5550979A-T1-A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NE5550979A-T1-A |
| 參數(shù)屬性 | NE5550979A-T1-A 封裝/外殼為79A；包裝為托盤(pán)；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG |
| 功能描述 | Silicon Power LDMOS FET |
| 封裝外殼 | 79A |
| 文件大小 |
1.15258 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | CEL California Eastern Labs |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-9 23:01:00 |
| 人工找貨 | NE5550979A-T1-A價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE5550979A-T1-A規(guī)格書(shū)詳情
NE5550979A-T1-A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE5550979A-T1-A晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
NE5550979A-T1-A
- 制造商：
CEL
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤(pán)
- 晶體管類(lèi)型：
LDMOS
- 頻率：
900MHz
- 增益：
22dB
- 額定電流（安培）：
3A
- 功率 - 輸出：
38.6dBm
- 封裝/外殼：
79A
- 供應(yīng)商器件封裝：
79A
- 描述：
FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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