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NE5550979A-A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號(hào) |
NE5550979A-A |
參數(shù)屬性 | NE5550979A-A 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG |
功能描述 | Silicon Power LDMOS FET |
封裝外殼 | 4-SMD,扁平引線 |
文件大小 |
1.15258 Mbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
CEL |
中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-2 8:24:00 |
人工找貨 | NE5550979A-A價(jià)格和庫(kù)存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE5550979A-A規(guī)格書詳情
NE5550979A-A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE5550979A-A晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
NE5550979A-A
- 制造商:
CEL
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
900MHz
- 增益:
22dB
- 額定電流(安培):
3A
- 功率 - 輸出:
38.6dBm
- 封裝/外殼:
4-SMD,扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝:
79A
- 描述:
FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CEL |
2022+ |
79A |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
20+ |
高頻管 |
2390 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價(jià) | ||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
24+ |
7350 |
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詢價(jià) | |||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
79A |
89630 |
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詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
79A |
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RENESAS |
2023+ |
CAN |
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RENESAS/瑞薩 |
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