NE500100中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
NE500100 |
功能描述 | 1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
文件大小 |
41.14 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Electronics America |
企業(yè)簡稱 |
NEC【瑞薩】 |
中文名稱 | 日本瑞薩電子株式會(huì)社官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-2 10:56:00 |
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NE500100規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
The NE8500199 Power GaAs FET covers 2 GHz to 10 GHz frequency range for commercial amplifier, oscillator applications and so on.
NE8500100 is the two-cells recessed gate chip used in ‘99’ package.
The device incorporates Ti-Al gate and silicon dioxide glassivation. To reduce the thermal resistance, the device has a PHS. (Plated Heat Sink)
NEC’s strigent quality assurance and test procedures assure the highest reliability and performance.
FEATURES
? Class A operation
? High power output
? High reliability
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PH |
23+ |
DIP |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
sig |
2023+ |
原廠封裝 |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
PHI |
00+/01+ |
DIP18 |
117 |
全新原裝100真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
SIGNETICS |
2016+ |
DIP |
6523 |
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨! |
詢價(jià) | ||
Sig |
24+ |
DIP |
3000 |
公司存貨 |
詢價(jià) | ||
SIGNETI |
24+ |
DIP16 |
22055 |
鄭重承諾只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
PHI |
24+ |
SOP |
9600 |
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
PHI |
23+ |
DIP16 |
12300 |
詢價(jià) | |||
PHI |
2022+ |
DIP |
20000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨.假一罰十 |
詢價(jià) | ||
PHI |
21+ |
DIP16 |
10000 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) |