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NE461M02分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE461M02
廠商型號

NE461M02

參數(shù)屬性

NE461M02 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V SOT89

功能描述

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER

封裝外殼

TO-243AA

文件大小

45.91 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Renesas Electronics America
企業(yè)簡稱

NEC瑞薩

中文名稱

日本瑞薩電子株式會社官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-1 9:02:00

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NE461M02規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The NE461M02 is an NPN silicon epitaxial bipolar transistor designed for medium power applications requiring high dynamic range and low intermodulation distortion. This device offers excellent performance and reliability at low cost through NECs titanium, platinum, gold metallization system and direct nitride passivation of the surface of the chip. The NE461M02 is an excellent choice for low noise amplifiers in the VHF to UHF band and is suitable for CATV and other telecommunication applications.

FEATURES

? HIGH COLLECTOR CURRENT: 250 mA MAX

? NEW HIGH GAIN POWER MINI-MOLD PACKAGE (SOT-89 TYPE)

? HIGH OUTPUT POWER AT 1 dB COMPRESSION: 27 dBm TYP at 1 GHz

? HIGH IP3: 37 dBm TYP at 1 GHz

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    NE461M02-T1-AZ

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

  • 增益:

    8.3dB

  • 功率 - 最大值:

    2W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 50mA,10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    250mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應商器件封裝:

    SOT-89

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V SOT89

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
CEL
25+
TO-243AA
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
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RENESAS/瑞薩
24+
SOT89
60000
全新原裝現(xiàn)貨
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RENESAS
25+
RENESAS
8800
公司只做原裝,詳情請咨詢
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23+
SOT-89
63000
原裝正品現(xiàn)貨
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RENESAS
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進口原裝現(xiàn)貨,假一賠十
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RENESAS/瑞薩
23+
SOT-89
89630
當天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨
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