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NE3520S03分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

NE3520S03
廠商型號

NE3520S03

參數(shù)屬性

NE3520S03 封裝/外殼為4-SMD,扁平引線;包裝為托盤;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 4V 20GHZ S03

功能描述

N-Channel GaAs HJ-FET, K Band Low Noise and High-Gain
FET RF 4V 20GHZ S03

封裝外殼

4-SMD,扁平引線

文件大小

505.13 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

CEL California Eastern Labs

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二

更新時間

2025-8-6 18:28:00

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NE3520S03規(guī)格書詳情

NE3520S03屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3520S03晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    NE3520S03-T1C-A

  • 制造商:

    CEL

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    HFET

  • 頻率:

    20GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 額定電流(安培):

    70mA

  • 噪聲系數(shù):

    0.65dB

  • 封裝/外殼:

    4-SMD,扁平引線

  • 供應商器件封裝:

    S03

  • 描述:

    FET RF 4V 20GHZ S03

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NEC
15+
STM-86
35
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
NEC
1950+
STM-86
4856
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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NEC
22+
BGA
3000
原裝正品,支持實單
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RENESAS
24+
4-SMD
16900
原裝正品現(xiàn)貨支持實單
詢價
CEL
22+
S03
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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RENESAS
24+
4-SMD
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全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
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24+
500
真實現(xiàn)貨庫存
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23+
SMT-86
65400
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4-SMD
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NEC
22+
BGA
14008
原裝正品
詢價