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NE3512S02-T1C-A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
NE3512S02-T1C-A |
| 參數(shù)屬性 | NE3512S02-T1C-A 封裝/外殼為4-SMD，扁平引線；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：HJ-FET NCH 13.5DB S02 |
| 功能描述 | HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | 4-SMD，扁平引線 |
| 文件大小 |
270.66 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | California Eastern Labs |
| 企業(yè)簡稱 |
CEL |
| 中文名稱 | California Eastern Labs官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-3 23:00:00 |
| 人工找貨 | NE3512S02-T1C-A價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
NE3512S02-T1C-A規(guī)格書詳情
NE3512S02-T1C-A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的NE3512S02-T1C-A晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
NE3512S02-T1C-A
- 制造商：
CEL
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
HFET
- 頻率：
12GHz
- 增益：
13.5dB
- 額定電流（安培）：
70mA
- 噪聲系數(shù)：
0.35dB
- 封裝/外殼：
4-SMD，扁平引線
- 供應(yīng)商器件封裝：
S02
- 描述：
HJ-FET NCH 13.5DB S02
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞薩)/IDT |
24+ |
S02 |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) | ||
NEC |
24+ |
NA/ |
800 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
25+ |
TO-50 |
54648 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 |
詢價(jià) | ||
NEC |
09+PBF |
S02 |
87 |
原裝現(xiàn)貨支持BOM配單服務(wù) |
詢價(jià) | ||
NEC |
06+ |
TO-50 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
NEC |
21+ |
VQFN |
9800 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
TO-50 |
39902 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
CEL |
23+ |
原廠原包 |
19960 |
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
NEC |
22+ |
SMT |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價(jià) | ||
CEL |
2022+ |
S02 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) |
