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首頁(yè)>NDS9959>規(guī)格書詳情

NDS9959數(shù)據(jù)手冊(cè)O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

NDS9959
功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
制造商

ONSEMI ON Semiconductor
中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-17 15:01:00
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技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    NDS9959

  • 功能描述：

    MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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