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NDS9952A數(shù)據(jù)手冊ONSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

NDS9952A

功能描述

雙 N 和 P 溝道增強型場效應晶體管,30V

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-16 23:01:00

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NDS9952A規(guī)格書詳情

描述 Description

這些雙N和P溝道增強模式功率場效應晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻,提供卓越開關性能,以及在雪崩和交換模式下承受高能量脈沖而定制的。 這些器件特別適合筆記本電腦功率管理和其他電池供電電路中的低電壓應用,此類應用需要快速開關、低線路內(nèi)功率損耗以及抗瞬變能力。

特性 Features

?N-Channel 3.7A, 30V, RDS(ON)=0.08W @ VGS=10V, P-Channel -2.9A, -30V, RDS(ON)=0.13W @ VGS=-10V.
?通態(tài)電阻RDS(ON)極低的高密度單元設計。
?高功率和高電流處理能力,采用廣泛使用的表面貼裝封裝。表面貼裝封裝中的雙(N&P溝道)MOSFET。
?Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount package.

應用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :NDS9952A

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :Complementary

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :±30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :±2.8

  • ID Max (A)

    :N: 3.7

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :N:110

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :N:80

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :10

  • Ciss Typ (pF)

    :N: 320

  • Package Type

    :SOIC-8

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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