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NDS0610數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

NDS0610

功能描述

P 溝道增強型場效應(yīng)晶體管,-60V,-0.12A,10Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-17 20:00:00

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NDS0610規(guī)格書詳情

描述 Description

此P溝道增強模式場效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這一密度非常高的工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻,提供穩(wěn)固和可靠的性能以及快速開關(guān)而定制的。 NDS0610在要求DC高達120mA的多數(shù)應(yīng)用中可輕松使用,并且可提供高達1A的電流。 該產(chǎn)品特別適合需要低電流高邊開關(guān)的低電壓應(yīng)用。

特性 Features

?-0.12 A, -60 V. RDS(ON) = 10 ? @ VGS = -10 V RDS(ON) = 20 ? @ VGS = -4.5 V
?電壓控制P溝道小信號開關(guān)
?高密度設(shè)計可實現(xiàn)低RDS(ON)
?高飽和電流

應(yīng)用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :NDS0610

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :-3.5

  • ID Max (A)

    :-0.12

  • PD Max (W)

    :40

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :20000

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :10000

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :11

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :1.8

  • Ciss Typ (pF)

    :79

  • Package Type

    :SOT-23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD/仙童
22+
SOT23
100000
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