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NDP6060L數據手冊ONSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

NDP6060L

功能描述

N 溝道邏輯電平增強型場效應晶體管 60V,48A,25mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數據手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-17 23:01:00

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NDP6060L規(guī)格書詳情

描述 Description

這些邏輯電平N溝道增強模式功率場效應晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術生產。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻,提供卓越的開關性能,以及在雪崩和交換模式下承受高能量脈沖而定制的。 這些器件特別適合需要快速開關、低線路內功率損耗以及抗瞬變能力的汽車、DC/DC轉換器、PWM電機控制和其他電池供電電路等低電壓應用。

特性 Features

?48A,60V。 RDS(ON) = 0.025Ω@ VGS=5V。
?低驅動要求使得能夠直接從邏輯驅動器進行操作。 VGS(TH)< 2.0V。
?在高溫下額定的臨界DC電氣參數。
?耐用的內部源極-漏極二極管使得無需使用外部齊納二極管瞬態(tài)抑制器。
?175°C最大結溫額定值。
?采用高密度單元設計,可實現(xiàn)極低的RDS(ON)。
?TO-220和TO-263 (D2PAK)封裝,適用于通孔和表面貼裝應用。

應用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術參數

  • 制造商編號

    :NDP6060L

  • 生產廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :2

  • ID Max (A)

    :48

  • PD Max (W)

    :49

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :25

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :20

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :3.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :36

  • Ciss Typ (pF)

    :1630

  • Package Type

    :TO-220-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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