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NDP6060L

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=48A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

NDP6060L

N 溝道邏輯電平增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 60V,48A,25mΩ; ?48A,60V。 RDS(ON) = 0.025Ω@ VGS=5V。\n?低驅(qū)動(dòng)要求使得能夠直接從邏輯驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行操作。 VGS(TH)< 2.0V。\n?在高溫下額定的臨界DC電氣參數(shù)。\n?耐用的內(nèi)部源極-漏極二極管使得無(wú)需使用外部齊納二極管瞬態(tài)抑制器。\n?175°C最大結(jié)溫額定值。\n?采用高密度單元設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(ON)。\n?TO-220和TO-263 (D2PAK)封裝,適用于通孔和表面貼裝應(yīng)用。\n;

這些邏輯電平N溝道增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆專有的高密度DMOS技術(shù)生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻,提供卓越的開關(guān)性能,以及在雪崩和交換模式下承受高能量脈沖而定制的。 這些器件特別適合需要快速開關(guān)、低線路內(nèi)功率損耗以及抗瞬變能力的汽車、DC/DC轉(zhuǎn)換器、PWM電機(jī)控制和其他電池供電電路等低電壓應(yīng)用。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

NDP6060L

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology. Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingp

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

NDP6060L

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?SurfaceMount ?AvailableinTapeandReel ?DynamicdV/dtRating ?Logic-LevelGateDrive ?FastSwitching ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

NDP6060L

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    60

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    2

  • ID Max (A):

    48

  • PD Max (W):

    49

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    25

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    20

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    3.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    36

  • Ciss Typ (pF):

    1630

  • Package Type:

    TO-220-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ONSEMI/安森美
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更多NDP6060L供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 17:06:00