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NCV8402ASTT1G_ONSEMI/安森美半導體_MOSFET 42V 2.0A壹芯創(chuàng)科技

NCV8402ASTT1G

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

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1+
  • 廠家型號：

    NCV8402ASTT1G

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    onsemi(安森美)

  • 庫存數(shù)量：

    5000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SOT-223-3

  • 生產(chǎn)批號：

    21+

  • 庫存類型：

    現(xiàn)貨庫存

  • 更新時間：

    2025-7-24 16:10:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：NCV8402ASTT1G品牌：onsemi(安森美)

型號： NCV8402ASTT1G 描述：特性：過流保護(OCP)；過熱保護(OPT)；過壓保護(OVP) 自保護 N 溝道功率 MOSFET NCV8402 是一款三端子保護低壓側(cè)智能分立器件。保護功能包括過電流、高溫、ESD 和用于過電壓保護的集成式漏極-門極箝位。此器件提供保護，適用于嚴苛的汽車環(huán)境。

  • 芯片型號：

    NCV8402ASTT1G

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    10 頁

  • 文件大?。?/span>

    128.62 kb

  • 資料說明：

    Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    NCV8402ASTT1G

  • 功能描述：

    MOSFET 42V 2.0A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市壹芯創(chuàng)科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪留言

  • 聯(lián)系人：

    楊小姐

  • 手機：

    15875588575

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-80780082/0755-82796631

  • 地址：

    廣東省深圳市福田區(qū)華強北路1002號賽格廣場58樓5888

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