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NCE60P82A中文資料無錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NCE60P82A
廠商型號

NCE60P82A

功能描述

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

NCE60P82A

封裝外殼

TO-220-3L

文件大小

316.92 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

NCEPOWER Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

中文名稱

無錫新潔能股份 無錫新潔能股份有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-6 23:00:00

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NCE60P82A規(guī)格書詳情

描述 Description

The NCE60P82A uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This

device is well suited for high current load applications.

General Features

● VDS =-60V,ID =-82A

RDS(ON) <13m? @ VGS=-10V

RDS(ON) <16m? @ VGS=-4.5V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Good stability and uniformity with high EAS

● Excellent package for good heat dissipation

Application

● Load switch

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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