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NCE60P55K中文資料無錫新潔能股份數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

NCE60P55K
廠商型號

NCE60P55K

功能描述

NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識

NCE60P55K

封裝外殼

TO-252-2L

文件大小

669.98 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商

NCEPOWER Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd

中文名稱

無錫新潔能股份 無錫新潔能股份有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-23 23:01:00

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NCE60P55K規(guī)格書詳情

描述 Description

The NCE60P55K uses advanced trench technology and

design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This

device is well suited for high current load applications. General Features

● VDS =-60V,ID =-55A

RDS(ON) <28mΩ @ VGS=-10V

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation

Application

● High side switch for full bridge converter

● DC/DC converter for LCD display

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
NCE/新潔能
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百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅
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原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
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