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首頁(yè)>NAND01GW3B2C>規(guī)格書詳情

NAND01GW3B2C數(shù)據(jù)手冊(cè)集成電路(IC)的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

NAND01GW3B2C

參數(shù)屬性

NAND01GW3B2C 封裝/外殼為63-TFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲(chǔ)器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

功能描述

1-Gbit, 2112-byte/1056-word page,1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory

封裝外殼

63-TFBGA

制造商

Micron Micron Technology

中文名稱

鎂光 美國(guó)鎂光科技有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-11 19:26:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    NAND01GW3B2CZA6E

  • 制造商:

    Micron Technology Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲(chǔ)器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型:

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    閃存 - NAND

  • 存儲(chǔ)容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存儲(chǔ)器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè):

    25ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    63-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    63-VFBGA(9.5x12)

  • 描述:

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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