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NAND01GW3B2AN6E數(shù)據(jù)手冊集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF

廠商型號 |
NAND01GW3B2AN6E |
參數(shù)屬性 | NAND01GW3B2AN6E 封裝/外殼為48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP |
功能描述 | IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP |
封裝外殼 | 48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團 |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-11 18:04:00 |
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NAND01GW3B2AN6E規(guī)格書詳情
簡介
NAND01GW3B2AN6E屬于集成電路(IC)的存儲器。由制造生產(chǎn)的NAND01GW3B2AN6E存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
:NAND01GW3B2AN6E
- 生產(chǎn)廠家
:ST
- 存儲器格式
:閃存
- 技術(shù)
:FLASH - NAND
- 存儲容量
:1Gb (128M x 8)
- 寫周期時間 - 字,頁
:30ns
- 訪問時間
:30ns
- 存儲器接口
:并聯(lián)
- 電壓 - 電源
:2.7 V ~ 3.6 V
- 工作溫度
:-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型
:表面貼裝
- 封裝/外殼
:48-TFSOP(0.724\,18.40mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝
:48-TSOP
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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ST |
24+ |
TSSOP |
20000 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
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2511 |
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ST |
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TSSOP |
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ST/意法 |
24+ |
TSOP |
12000 |
原裝正品 有掛就有貨 |
詢價 | ||
ST/意法 |
25+ |
TSOP |
13800 |
原裝,請咨詢 |
詢價 | ||
ST/意法 |
25+ |
TSOP |
996880 |
只做原裝,歡迎來電資詢 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
18+ |
ICFLASH1GBIT48TSOP |
6580 |
公司原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST/意法 |
0517PB |
TSSOP |
779 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |