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NAND01GW3B2AN6E數(shù)據(jù)手冊集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF

PDF無圖
廠商型號

NAND01GW3B2AN6E

參數(shù)屬性

NAND01GW3B2AN6E 封裝/外殼為48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬);包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

功能描述

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

封裝外殼

48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)

制造商

ST STMicroelectronics

中文名稱

意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-11 18:04:00

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NAND01GW3B2AN6E規(guī)格書詳情

簡介

NAND01GW3B2AN6E屬于集成電路(IC)的存儲器。由制造生產(chǎn)的NAND01GW3B2AN6E存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號

    :NAND01GW3B2AN6E

  • 生產(chǎn)廠家

    :ST

  • 存儲器格式

    :閃存

  • 技術(shù)

    :FLASH - NAND

  • 存儲容量

    :1Gb (128M x 8)

  • 寫周期時間 - 字,頁

    :30ns

  • 訪問時間

    :30ns

  • 存儲器接口

    :并聯(lián)

  • 電壓 - 電源

    :2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作溫度

    :-40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型

    :表面貼裝

  • 封裝/外殼

    :48-TFSOP(0.724\,18.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝

    :48-TSOP

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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