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NAND01GW3B2AZA6E數(shù)據(jù)手冊集成電路（IC）的存儲器規(guī)格書PDF
| 廠商型號 |
NAND01GW3B2AZA6E |
| 參數(shù)屬性 | NAND01GW3B2AZA6E 封裝/外殼為63-TFBGA；包裝為托盤；類別為集成電路（IC）的存儲器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
| 功能描述 | IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA |
| 封裝外殼 | 63-TFBGA |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團 |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-11 20:00:00 |
| 人工找貨 | NAND01GW3B2AZA6E價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
NAND01GW3B2AZA6E規(guī)格書詳情
簡介
NAND01GW3B2AZA6E屬于集成電路（IC）的存儲器。由制造生產(chǎn)的NAND01GW3B2AZA6E存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。
技術(shù)參數(shù)
更多- 制造商編號
：NAND01GW3B2AZA6E
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- 存儲器格式
：閃存
- 技術(shù)
：FLASH - NAND
- 存儲容量
：1Gb （128M x 8）
- 寫周期時間 - 字，頁
：30ns
- 訪問時間
：30ns
- 存儲器接口
：并聯(lián)
- 電壓 - 電源
：2.7 V ~ 3.6 V
- 工作溫度
：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型
：表面貼裝
- 封裝/外殼
：63-TFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝
：63-VFBGA（9x11）
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3304 |
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
ST |
2023+ |
BGA |
50000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST(MICRON鎂光) |
06+ |
BGA |
15 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
21+ |
48-TFSOP(0.724 |
5280 |
詢價 | |||
ST(MICRON鎂光) |
23+ |
BGA |
30000 |
代理全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
ST |
2450+ |
BGA |
6540 |
只做原廠原裝正品終端客戶免費申請樣品 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
FBGA |
23000 |
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價 | ||
ST |
22+ |
FBGA |
12245 |
現(xiàn)貨,原廠原裝假一罰十! |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
18+ |
ICFLASH1GBIT63VFBGA |
6580 |
公司原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |
