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MTP23P06V中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

MTP23P06V
廠商型號(hào)

MTP23P06V

功能描述

TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.120 OHM

文件大小

192.7 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

MOTOROLA摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-7-28 8:14:00

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MTP23P06V規(guī)格書(shū)詳情

TMOS V? Power Field Effect Transistor

N–Channel Enhancement–Mode Silicon Gate

TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on)= 0.18 OHM

TMOSV is a new technologydesigned to achieve an on–resistance area product about one–half that of standard MOSFETs. This new technology more than doubles the present cell density ofour

50 and 60 volt TMOS devices. Just as with our TMOSE–FET designs, TMOSV is designed to with stand high energy in the avalanche and commutation modes.

New Features of TMOS V

? On–resistance Area Product about One–half that of Standard

MOSFETs with New Low Voltage, Low RDS(on)Technology

? Faster Switching than E–FET Predecessors

Features Common to TMOS V and TMOS E–FETS

? Avalanche Energy Specified

? IDSSand VDS(on)Specified at Elevated Temperature

? Static Parameters are the Same for both TMOS V and TMOS E–FET

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    MTP23P06V

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 23A P-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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