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MTB23P06

TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB23P06

TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS

TMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponents

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB23P06E

TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS

TMOSE-FET?HighEnergyPowerFETD2PAKforSurfaceMount P-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponents

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB23P06E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTB23P06V

TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB23P06V

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=23A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTB23P06V

P??hannel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTB23P06V

Marking：D2PAK；Package：TO-263；N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

MTB23P06VT4

P??hannel Power MOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MTB23P06

  • 制造商：

    MOTOROLA

  • 制造商全稱：

    Motorola, Inc

  • 功能描述：

    TMOS POWER FET 23 AMPERES 60 VOLTS

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
MOTOROLA/摩托羅拉
24+
TO-263
24000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
ON
24+
TO-263
504537
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
ON
24+
30000
詢價
ON/ON
12+
TO-263
15000
全新原裝,絕對正品,公司現(xiàn)貨供應(yīng)。
 詢價
ON
23+
TO-263
11846
一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價
AP
23+
TO-252
69820
終端可以免費(fèi)供樣,支持BOM配單!
 詢價
MOTO
08+
TO-263
24000
普通
 詢價
MOTOROLA/摩托羅拉
2022+
TO-263
24000
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品
 詢價
MOTOROLA
22+
TO-263
3000
原裝正品,支持實(shí)單
 詢價
MOTOROLA/摩托羅拉
2022+
TO-263
30000
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
 詢價
更多MTB23P06供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 16:36:00

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