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MT3S111P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MT3S111P
廠商型號

MT3S111P

參數(shù)屬性

MT3S111P 封裝/外殼為TO-243AA;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

功能描述

VHF-UHF Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications

封裝外殼

TO-243AA

文件大小

169.96 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
TOSHIBA
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-3 14:08:00

人工找貨

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MT3S111P(TE12L,F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    6V

  • 頻率 - 躍遷:

    8GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.25dB @ 1GHz

  • 增益:

    10.5dB

  • 功率 - 最大值:

    1W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 30mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PW-MINI

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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