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MSR2N2907A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
MSR2N2907A |
參數(shù)屬性 | MSR2N2907A 封裝/外殼為TO-206AA,TO-18-3 金屬罐;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:RH SMALL-SIGNAL BJT |
功能描述 | Rad Hard PNP Silicon Switching Transistor Screened per MIL-PRF-19500 & ESCC22900 |
封裝外殼 | TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 |
文件大小 |
1.09927 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
企業(yè)簡稱 |
MICROSEMI【美高森美】 |
中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-4 23:00:00 |
人工找貨 | MSR2N2907A價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
MSR2N2907A規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
This RHA level PNP switching transistor, 2N2907A device in a TO-206AA package, is ideal to
drive many high-reliability applications. This device is constructed and screened to a JANSR
performance level with radiation test method 1019 wafer lot acceptance conducted on all die
lots. Fully compliant to GSFC EEE-INST-002 reliability, screening and radiation hardness
assurance requirements for space flight projects
FEATURES
? JEDEC registered 2N2907A
? TID level screened per MIL-PRF-19500
? Also available with ELDRS testing to 0.01 Rad(s)/ sec
? MKCR/MHCR chip die available
? RHA (Radiation hardness assured) lot by lot validation testing via ELDR 0.1 Rad (SI)/sec dose rate
APPLICATIONS / BENEFITS
? Rad-Hard power supplies
? Rad-Hard motor controls
? General purpose switching
? Instrumentation Amps
? EPS Satellite switching power applications
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MSR2N2907A
- 制造商:
Microchip Technology
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 系列:
Military, MIL-PRF-19500/291
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
1.6V @ 50mA,500mA
- 電流 - 集電極截止(最大值):
50nA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 150mA,10V
- 工作溫度:
-65°C ~ 200°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-206AA,TO-18-3 金屬罐
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-18(TO-206AA)
- 描述:
RH SMALL-SIGNAL BJT
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Riedon |
24+ |
7350 |
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