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MSR2N2907A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

MSR2N2907A
廠商型號

MSR2N2907A

參數(shù)屬性

MSR2N2907A 封裝/外殼為TO-206AA,TO-18-3 金屬罐;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:RH SMALL-SIGNAL BJT

功能描述

Rad Hard PNP Silicon Switching Transistor Screened per MIL-PRF-19500 & ESCC22900

封裝外殼

TO-206AA,TO-18-3 金屬罐

文件大小

1.09927 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡稱

MICROSEMI美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
MICROSEMI
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-4 23:00:00

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MSR2N2907A規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This RHA level PNP switching transistor, 2N2907A device in a TO-206AA package, is ideal to

drive many high-reliability applications. This device is constructed and screened to a JANSR

performance level with radiation test method 1019 wafer lot acceptance conducted on all die

lots. Fully compliant to GSFC EEE-INST-002 reliability, screening and radiation hardness

assurance requirements for space flight projects

FEATURES

? JEDEC registered 2N2907A

? TID level screened per MIL-PRF-19500

? Also available with ELDRS testing to 0.01 Rad(s)/ sec

? MKCR/MHCR chip die available

? RHA (Radiation hardness assured) lot by lot validation testing via ELDR 0.1 Rad (SI)/sec dose rate

APPLICATIONS / BENEFITS

? Rad-Hard power supplies

? Rad-Hard motor controls

? General purpose switching

? Instrumentation Amps

? EPS Satellite switching power applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MSR2N2907A

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/291

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.6V @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-206AA,TO-18-3 金屬罐

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-18(TO-206AA)

  • 描述:

    RH SMALL-SIGNAL BJT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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