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MSR2N2369AUBC分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MSR2N2369AUBC |
| 參數(shù)屬性 | MSR2N2369AUBC 封裝/外殼為3-SMD，無引線；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：RH SMALL-SIGNAL BJT |
| 功能描述 | Rad Hard NPN Silicon High Speed Switching Transistor |
| 封裝外殼 | 3-SMD，無引線 |
| 文件大小 |
517.58 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
7 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Microsemi Corporation |
| 企業(yè)簡稱 |
MICROSEMI【美高森美】 |
| 中文名稱 | 美高森美公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-8-2 23:00:00 |
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MSR2N2369AUBC規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
This RHA level NPN switching transistor 2N2369A device in a UB and UBC package is ideal to
drive many high-reliability applications. This device is constructed and screened to a JANSR
performance level with radiation test method 1019 wafer lot acceptance conducted on all die
lots. Fully compliant to GSFC EEE-INST-002 reliability, screening and radiation hardness
assurance requirements for space flight projects
FEATURES
? JEDEC registered 2N2369
? TID level screened per MIL-PRF-19500
? Also available with ELDRS testing to 0.01 Rad(s)/ sec
? MKCR / MHCR chip die available
? RHA (Radiation hardness assured) lot by lot validation testing via ELDR 0.1 Rad (SI)/sec dose rate
APPLICATIONS / BENEFITS
? Rad-Hard power supplies
? Rad-Hard motor controls
? General purpose switching
? Instrumentation Amps
? EPS Satellite switching power applications
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MSR2N2369AUBC
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 系列：
Military, MIL-PRF-19500
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
250mV @ 3mA， 30mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
400nA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，1V
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
3-SMD，無引線
- 供應商器件封裝：
UBC
- 描述：
RH SMALL-SIGNAL BJT
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Riedon |
24+ |
7350 |
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