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MRF8S21140H數(shù)據(jù)手冊恩XP中文資料規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號

MRF8S21140H

功能描述

2110-2170 MHz,34 W平均值,28 V W-CDMA,LTE射頻功率LDMOS

制造商

恩XP 恩XP

中文名稱

N智浦

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-7 20:00:00

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MRF8S21140H規(guī)格書詳情

描述 Description

The MRF8S21140HR3 and MRF8S21140HSR3 are designed for W-CDMA and LTE base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.

特性 Features

? Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 970 mA, Pout = 34 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.FrequencyGps(dB)ηD(%)Output PAR(dB)ACPR(dBc)2110 MHz17.732.16.2–37.02140 MHz17.931.76.4–37.52170 MHz18.131.76.4–37.5

技術(shù)參數(shù)

  • 型號:

    MRF8S21140H

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管 RF FET HV8 2GHZ 140W NI780

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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