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MRF8S19140H數(shù)據(jù)手冊恩XP中文資料規(guī)格書

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廠商型號

MRF8S19140H

功能描述

1930-1990 MHz,34 W平均值,28 V單載波CDMA,W-CDMA,LTE橫向N信道射頻功率MOSFET

制造商

恩XP 恩XP

中文名稱

N智浦

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-7 23:00:00

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MRF8S19140H規(guī)格書詳情

描述 Description

The MRF8S19140HR3 and MRF8S19140HSR3 are designed for CDMA, W-CDMA and LTE base station applications with frequencies from 1930 to 1990 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.

特性 Features

? Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1100 mA, Pout = 34 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.FrequencyGps(dB)ηD(%)Output?PAR(dB)ACPR(dBc)1930 MHz18.831.76.4–38.51960 MHz19.131.46.5–38.81990 MHz19.331.56.5–38.8

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