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MRF5S19150HSR3中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號 |
MRF5S19150HSR3 |
功能描述 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
文件大小 |
439.88 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
12 頁 |
生產(chǎn)廠商 | FREESCALE Freescale Semiconductor, Inc |
中文名稱 | 飛思卡爾 飛思卡爾半導體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-7 18:18:00 |
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MRF5S19150HSR3規(guī)格書詳情
1930-1990 MHz, 32 W AVG., 28 V 2 x N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs
Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
? Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for VDD = 28 Volts, IDQ = 1400 mA, Avg., Pout = 32 Watts Avg., Full Frequency Band, IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR = 9.8 dB @ 0.01 Probability on CCDF.
Power Gain — 14 dB
Drain Efficiency — 26
IM3 @ 2.5 MHz Offset — -36.5 dBc in 1.2288 MHz Bandwidth
ACPR @ 885 kHz Offset — -50 dB in 30 kHz Bandwidth
? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 1960 MHz, 100 Watts CW Output Power
特性 Features
? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters
? Internally Matched for Ease of Use
? Qualified Up to a Maximum of 32 V Operation
? Integrated ESD Protection
? Lower Thermal Resistance Package
? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.
? RoHS Compliant
? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 型號:
MRF5S19150HSR3
- 功能描述:
MOSFET RF N-CHAN 28V 32W NI-880S
- RoHS:
是
- 類別:
分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET
- 系列:
-
- 產(chǎn)品目錄繪圖:
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 標準包裝:
3,000
- 晶體管類型:
N 通道 JFET
- 頻率:
-
- 增益:
- 電壓 -
- 測試:
-
- 額定電流:
30mA
- 噪音數(shù)據(jù):
- 電流 -
- 測試:
- 功率 -
- 輸出:
- 電壓 -
- 額定:
25V
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應商設備封裝:
SOT-23-3(TO-236)
- 包裝:
帶卷(TR)
- 產(chǎn)品目錄頁面:
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名稱:
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FREESCAIE |
21+ |
SMD |
1625 |
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模塊 |
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