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MRF5S19150HR3中文資料飛思卡爾數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF5S19150HR3
廠商型號

MRF5S19150HR3

功能描述

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件大小

439.88 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

FREESCALE Freescale Semiconductor, Inc

中文名稱

飛思卡爾 飛思卡爾半導體

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-10 11:10:00

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MRF5S19150HR3規(guī)格書詳情

1930-1990 MHz, 32 W AVG., 28 V 2 x N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFETs

Designed for PCN and PCS base station applications at frequencies from 1900 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.

? Typical 2-Carrier N-CDMA Performance for VDD = 28 Volts, IDQ = 1400 mA, Avg., Pout = 32 Watts Avg., Full Frequency Band, IS-95 CDMA (Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR = 9.8 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

Power Gain — 14 dB

Drain Efficiency — 26

IM3 @ 2.5 MHz Offset — -36.5 dBc in 1.2288 MHz Bandwidth

ACPR @ 885 kHz Offset — -50 dB in 30 kHz Bandwidth

? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 1960 MHz, 100 Watts CW Output Power

特性 Features

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Internally Matched for Ease of Use

? Qualified Up to a Maximum of 32 V Operation

? Integrated ESD Protection

? Lower Thermal Resistance Package

? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MRF5S19150HR3

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管 HV5 32W N/CDMA

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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