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MRF282ZR1數據手冊恩XP中文資料規(guī)格書

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廠商型號

MRF282ZR1

功能描述

2000 MHz, 10 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

制造商

恩XP 恩XP

中文名稱

N智浦

數據手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-1 22:51:00

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MRF282ZR1規(guī)格書詳情

描述 Description

Overview The MRF282ZR1 is designed for Class A and Class AB PCN and PCS base station applications with frequencies up to 2600 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications.

特性 Features


?Specified Two–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts
Output Power = 10 Watts PEP
\tPower Gain = 10.5 dB
\tEfficiency = 28%
\tIntermodulation Distortion = –31 dBc

?Specified Single–Tone Performance @ 2000 MHz, 26 Volts
Output Power = 10 Watts CW
\tPower Gain = 9.5 dB
\tEfficiency = 35%

?Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2000 MHz, 10 Watts CW Output Power

?Excellent Thermal Stability

?Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

?RoHS Compliant

?Available in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

技術參數

  • 型號:

    MRF282ZR1

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR FET SOE PKG

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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