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MRF281SR1數(shù)據(jù)手冊恩XP中文資料規(guī)格書

PDF無圖
廠商型號

MRF281SR1

功能描述

2000 MHz, 4 W, 26 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

制造商

恩XP 恩XP

中文名稱

N智浦

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-9-1 23:01:00

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MRF281SR1規(guī)格書詳情

描述 Description

Overview MRF281SR1 removed from active portfolio. View replacement parts via Part Number Search.

特性 Features


?Specified Two-Tone Performance @ 1930 and 2000 MHz, 26 Volts
Output Power = 4 Watts PEP
\tPower Gain = 11 dB
\tEfficiency = 30%
\tIntermodulation Distortion = –29 dBc

?Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2000 MHz, 4 Watts CW Output Power

?Excellent Thermal Stability

?Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

?S-Parameter Characterization at High Bias Levels

?RoHS Compliant

?Available in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

技術參數(shù)

  • 型號:

    MRF281SR1

  • 功能描述:

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-200S

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導體產(chǎn)品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 標準包裝:

    3,000

  • 晶體管類型:

    N 通道 JFET

  • 頻率:

    -

  • 增益:

    - 電壓 -

  • 測試:

    -

  • 額定電流:

    30mA

  • 噪音數(shù)據(jù):

    - 電流 -

  • 測試:

    - 功率 -

  • 輸出:

    - 電壓 -

  • 額定:

    25V

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商設備封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包裝:

    帶卷(TR)

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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