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MRF21010LSR1中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF21010LSR1
廠商型號

MRF21010LSR1

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

文件大小

182.18 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-5 23:01:00

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MRF21010LSR1規(guī)格書詳情

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N- Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications.

. Typical W-CDMA Performance: -45dBc ACPR, 2140 MHz, 28 Volts,

5 MHz Offset/4.096 MHz BW, 15 DTCH

Output Power — 2.1 Watts

Power Gain — 13.5 dB

Efficiency — 21

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? Integrated ESDProtection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

. Capable ofHandling 10:1 VSWR @ 28 Vdc, 2170 MHz, 10 Watts CW Output Power

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.

? Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40|j Nominal.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MRF21010LSR1

  • 功能描述:

    射頻MOSFET電源晶體管 10W 28V 2.1 GHZ LDMOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 頻率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 輸出功率:

    100 W

  • 封裝/箱體:

    NI-780-4

  • 封裝:

    Tray

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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