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MRF21010LR1中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF21010LR1
廠商型號

MRF21010LR1

功能描述

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

文件大小

542.12 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

MOTOROLA

中文名稱

摩托羅拉

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-16 14:24:00

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MRF21010LR1規(guī)格書詳情

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications.

? Typical W-CDMA Performance: -45 dBc ACPR, 2140 MHz, 28 Volts,

5 MHz Offset/4.096 MHz BW, 15 DTCH

Output Power — 2.1 Watts

Power Gain — 13.5 dB

Efficiency — 21

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Capable of Handling 10:1 VSWR @ 28 Vdc, 2170 MHz, 10 Watts CW Output Power

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.

? Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40μ″ Nominal.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MRF21010LR1

  • 功能描述:

    IC MOSFET RF N-CHAN NI-360

  • RoHS:

  • 類別:

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 產(chǎn)品目錄繪圖:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝:

    3,000

  • 晶體管類型:

    N 通道 JFET

  • 頻率:

    -

  • 增益:

    - 電壓 -

  • 測試:

    -

  • 額定電流:

    30mA

  • 噪音數(shù)據(jù):

    - 電流 -

  • 測試:

    - 功率 -

  • 輸出:

    - 電壓 -

  • 額定:

    25V

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包裝:

    帶卷(TR)

  • 產(chǎn)品目錄頁面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名稱:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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