MRF1090MB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
MRF1090MB |
參數(shù)屬性 | MRF1090MB 封裝/外殼為332A-03;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 70V 332A-03 |
功能描述 | Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor 90W (peak), 960-1215MHz |
封裝外殼 | 332A-03 |
文件大小 |
185.79 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
5 頁 |
生產(chǎn)廠商 | MA-COM |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-9-3 20:00:00 |
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MRF1090MB規(guī)格書詳情
Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor 90W (peak), 960–1215MHz
Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters.
? Guaranteed performance @ 1090 MHz, 50 Vdc
Output power = 90 W Peak
Minimum gain = 8.4 dB
? 100 tested for load mismatch at all phase angles with 10:1 VSWR
? Industry standard package
? Nitride passivated
? Gold metallized for long life and resistance to metal migration
? Internal input matching for broadband operation
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MRF1090MB
- 制造商:
MACOM Technology Solutions
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
70V
- 增益:
10.8dB
- 功率 - 最大值:
90W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 2.5A,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
6A
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
332A-03
- 供應(yīng)商器件封裝:
332A-03,1 型
- 描述:
RF TRANS NPN 70V 332A-03
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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