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MRF1035分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF1035
廠商型號

MRF1035

參數(shù)屬性

MRF1035 封裝/外殼為355E-01;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 65V 355E-01

功能描述

MICROWAVE POWER TRANSISTOR NPN SILICON

封裝外殼

355E-01

文件大小

147.24 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商

MACOM

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-3 17:09:00

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MRF1035規(guī)格書詳情

The RF Line

Microwave Pulse Power Transistor

Designed for 1025–1150 MHz pulse common base amplifier applications such as TCAS, TACAN and Mode–S transmitters.

? Guaranteed Performance @ 1090 MHz

Output Power = 350 Watts Peak

Gain = 8.5 dB Min, 9.0 dB (Typ)

? 100 Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 10:1 VSWR

? Hermetically Sealed Package

? Silicon Nitride Passivated

? Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Life and Resistance to Metal Migration

? Internal Input and Output Matching

? Characterized using Mode–S Pulse Format

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF10350

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    65V

  • 增益:

    9dB

  • 功率 - 最大值:

    350W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 5A,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    31A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    355E-01

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    355E-01,1 型

  • 描述:

    RF TRANS NPN 65V 355E-01

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