MRF1004MB分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF1004MB |
| 參數(shù)屬性 | MRF1004MB 封裝/外殼為332A-03；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 4W 960MHZ-1215MHZ |
| 功能描述 | Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor 4.0W (peak), 960-1215MHz |
| 封裝外殼 | 332A-03 |
| 文件大小 |
170.24 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | MA-COM |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-3 14:32:00 |
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MRF1004MB規(guī)格書詳情
Designed for Class B and C common base amplifier applications in short and long pulse TACAN, IFF, DME, and radar transmitters.
? Guaranteed performance @ 1090 MHz, 35 Vdc
Output power = 4.0 W Peak
Minimum gain = 10 dB
? 100 Tested for load mismatch at all phase angles with 10:1 VSWR
? Ιndustry standard package
? Nitride passivated
? Gold metallized, emitter ballasted for long life and resistance to metal migration
? Internal input matching for broadband operation
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MRF1004MB
- 制造商：
MACOM Technology Solutions
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
20V
- 增益：
11dB
- 功率 - 最大值：
4W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 75mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
250mA
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
332A-03
- 供應商器件封裝：
332A-03，1 型
- 描述：
TRANS NPN 4W 960MHZ-1215MHZ
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
SMD |
3000 |
M/A-COM專營微波射頻全新原裝正品 |
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22+ |
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3000 |
原裝正品,支持實單 |
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