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MRF1000MB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRF1000MB
廠商型號(hào)

MRF1000MB

參數(shù)屬性

MRF1000MB 封裝/外殼為332A-02;包裝為托盤(pán);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 20V 332A-03

功能描述

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

封裝外殼

332A-02

文件大小

16.37 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Advanced Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ASI

中文名稱

Advanced Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-1 20:07:00

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MRF1000MB規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION:

The ASI MRF1000MB is Designed for Class A, DME/TACAN Applications up to 1090 MHz.

FEATURES:

? Class A Operation

? PG = 10 dB at 0.2 W/1090 MHz

? Omnigold? Metalization System

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF1000MB

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    20V

  • 增益:

    10.7dB ~ 12dB

  • 功率 - 最大值:

    0.7W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 100mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    332A-02

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    332A-03,2 型

  • 描述:

    RF TRANS NPN 20V 332A-03

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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