MRF1000MB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

廠商型號(hào) |
MRF1000MB |
參數(shù)屬性 | MRF1000MB 封裝/外殼為332A-02;包裝為托盤(pán);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 20V 332A-03 |
功能描述 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
封裝外殼 | 332A-02 |
文件大小 |
16.37 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
1 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Advanced Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ASI |
中文名稱 | Advanced Semiconductor官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ASI |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-1 20:07:00 |
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MRF1000MB規(guī)格書(shū)詳情
DESCRIPTION:
The ASI MRF1000MB is Designed for Class A, DME/TACAN Applications up to 1090 MHz.
FEATURES:
? Class A Operation
? PG = 10 dB at 0.2 W/1090 MHz
? Omnigold? Metalization System
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
MRF1000MB
- 制造商:
MACOM Technology Solutions
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
托盤(pán)
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
20V
- 增益:
10.7dB ~ 12dB
- 功率 - 最大值:
0.7W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 100mA,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
200mA
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
332A-02
- 供應(yīng)商器件封裝:
332A-03,2 型
- 描述:
RF TRANS NPN 20V 332A-03
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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