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PBHV8110DW

NPNLowVce(sat)Transistor

Features ?SiliconNPNepitaxialtype ?LowVce(sat)0.35V(max)@Ic/Ib=500mA/50mA ?Highcollectorcurrentcapability ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard ?PNPcomplement:PBHV9110DW

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PBHV8110DW-AU

NPNLowVce(sat)Transistor

Features ?SiliconNPNepitaxialtype ?LowVce(sat)0.35V(max)@Ic/Ib=500mA/50mA ?Highcollectorcurrentcapability ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?AEC-Q101qualified ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard ?PNPcomple

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PBSS8110D

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS8110D

100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaplasticSOT457(SC-74)package. Features ■SOT457package ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiency,leadingtolessheatgeneration. Applications ■Majorapplication

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS8110D

100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

Features *SOT457package *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highefficiency,leadingtolessheatgeneration

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS8110S

100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsatBISStransistorinaSOT54plasticpackage. FEATURES ?SOT54package ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ?Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration. APPLICATIONS ?Automotive42Vpower ?Tel

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS8110T

100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PBSS9110T. FEATURES ?SOT23package ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ?Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration ?Reducedprinted-circ

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS8110T

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS8110T

100V,1ANPNlowVCEsattransistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS9110T 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability:ICandICM 3.Applications

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安世安世半導體(中國)有限公司

PBSS8110T-Q

100V,1ANPNlowVCEsattransistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS9110T-Q 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ?Qualifiedacc

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安世安世半導體(中國)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MP8110DK

  • 功能描述：

    電流靈敏放大器 40V Prec High-Side Current Sense Amp

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Texas Instruments

  • 共模抑制比（最小值）：

    110 dB

  • 輸入補償電壓：

    80 uV

  • 電源電壓-最大：

    5.5 V

  • 電源電壓-最?。?/span>

    2.7 V

  • 電源電流：

    350 uA

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 最小工作溫度：

    - 40 C

  • 安裝風格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    VQFN-16

  • 封裝：

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MP8110DK供應商 更新時間2025-7-24 16:50:00

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