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PBSS8110D

Marking：A8；Package：SOT457；100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

Features *SOT457package *Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat *HighcollectorcurrentcapabilityICandICM *Highefficiency,leadingtolessheatgeneration

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBSS8110D

100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaplasticSOT457(SC-74)package. Features ■SOT457package ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highefficiency,leadingtolessheatgeneration. Applications ■Majorapplication

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS8110D

Low VCEsat (BISS) transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS8110D_15

100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS8110D,115

Package：SC-74，SOT-457；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 100V 1A 6TSOP

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

Nexperia USA Inc.

PBSS8110S

100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsatBISStransistorinaSOT54plasticpackage. FEATURES ?SOT54package ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ?Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration. APPLICATIONS ?Automotive42Vpower ?Tel

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS8110T

100V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor

DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PBSS9110T. FEATURES ?SOT23package ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ?Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration ?Reducedprinted-circ

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS8110T

LowVCEsat(BISS)transistors

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PBSS8110T

100V,1ANPNlowVCEsattransistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS9110T 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability:ICandICM 3.Applications

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PBSS8110T-Q

100V,1ANPNlowVCEsattransistor

1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS9110T-Q 2.Featuresandbenefits ?Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ?Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ?Qualifiedacc

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    PBSS8110D

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多PBSS8110D供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-17 18:18:00

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