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MMIX4B20N300分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-陣列規(guī)格書PDF中文資料

MMIX4B20N300
廠商型號

MMIX4B20N300

參數(shù)屬性

MMIX4B20N300 封裝/外殼為24-SMD 模塊(9 引線);包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-陣列;產(chǎn)品描述:IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD

功能描述

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD

封裝外殼

24-SMD 模塊(9 引線)

文件大小

255.56 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-9-5 23:00:00

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MMIX4B20N300規(guī)格書詳情

MMIX4B20N300屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-陣列。由艾賽斯制造生產(chǎn)的MMIX4B20N300晶體管 - IGBT - 陣列絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是高效且快速切換的三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān)。這些器件用于變頻驅(qū)動器 (VFD)、電動汽車、火車、燈鎮(zhèn)流器和空調(diào)等大功率應(yīng)用中的開關(guān)電源,并可用于開關(guān)放大器——音響系統(tǒng)和工業(yè)控制系統(tǒng)。IGBT 陣列在一個封裝中包含多個器件,并且采用全橋或半橋配置。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MMIX4B20N300

  • 制造商:

    IXYS

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 陣列

  • 系列:

    BIMOSFET?

  • 包裝:

    管件

  • 配置:

    全橋

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.2V @ 15V,20A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    24-SMD 模塊(9 引線)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    24-SMPD

  • 描述:

    IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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