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MMIX4B12N300中文資料艾賽斯數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MMIX4B12N300
廠商型號

MMIX4B12N300

功能描述

High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

文件大小

259.829 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

IXYS

中文名稱

艾賽斯

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-9-6 11:20:00

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MMIX4B12N300規(guī)格書詳情

特性 Features

? Silicon Chip on Direct-Copper Bond (DCB) Substrate

? Isolated Mounting Surface

? 4000V~ Electrical Isolation

? High Blocking Voltage

? High Peak Current Capability

? Low Saturation Voltage

Advantages

? Low Gate Drive Requirement

? High Power Density

Applications

? Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies

? Capacitor Discharge Circuits

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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