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PMBS3904-Q

40V,100mANPNgeneral-purposetransistor

1.Generaldescription NPNtransistorinasmallSOT23(SC-70)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PMBS3906 2.Featuresandbenefits ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.40V) ?QualifiedaccordingtoAEC-Q101andrecommendedforuseinautomotiveappli

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMBT3904

NPNswitchingtransistor

DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PMBT3906. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS ?Telephonyandprofessionalcommunicationequipment.

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PMBT3904

NPNswitchingtransistor

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PMBT3904

40V,200mANPNswitchingtransistor

1.Generaldescription NPNswitchingtransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PMBT3906 2.Featuresandbenefits ?CollectorcurrentcapabilityIC=200mA ?Collector-emittervoltageVCEO=40V 3.Applications ?Generalswitc

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMBT3904D

NPNswitchingdoubletransistor

DESCRIPTION TwoindependentlyoperatingNPNswitchingtransistorsinaSC-74,sixlead,SMDplasticpackage. FEATURES ?Lowcurrent(max.100mA) ?Lowvoltage(max.40V) ?Reducesnumberofcomponentsandboardspace. APPLICATIONS ?Telephonyandprofessionalcommunicationequipment.

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飛利浦荷蘭皇家飛利浦

PMBT3904M

40V,200mANPNswitchingtransistor

1.Generaldescription NPNsingleswitchingtransistorinaSOT883(SC-101)leadlessultrasmallSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PMBT3906M 2.Featuresandbenefits ?Singlegeneral-purposeswitchingtransistor ?Board-spacereduction ?UltrasmallSMDplastic

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMBT3904MB

40V,200mANPNswitchingtransistor

Generaldescription NPNsingleswitchingtransistorinaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PMBT3906MB. Featuresandbenefits ?Singlegeneral-purposeswitchingtransistor ?UltrasmallSMDplasticpackage ?Board-spacered

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMBT3904MB-TP

50VNPNGeneralPurposeTransistor

Features ?Highvoltageandhighcurrent :Vceo=50V,Ic=100mA(max) ?Excellenthglinearity:hrg(Ic=0.1mA)/heg(Ic=2mA)=0.95(typ.) *Highhfe-hrg=120to400

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    MMDT3904V-TP

  • 功能描述：

    兩極晶體管 - BJT 200mA 40V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT：

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    100 A

  • 安裝風(fēng)格：

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體：

    PowerFLAT 2 x 2

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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